[发明专利]高纯度多结晶硅的制造方法及制造装置有效
| 申请号： | 200610145199.2 | 申请日： | 2006-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1974383A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 本田终一;安枝稔;林田智;山口雅嗣;田中亨 | 申请（专利权）人： | 智索株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 日本大阪府大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种高纯度多结晶硅的制造方法，在该制造方法中，利用包括在上部设置的硅氯化物气体供给喷嘴、还原剂气体供给喷嘴、排出气体抽出管的纵型反应器，并向该反应器内供给硅氯化物气体和还原剂气体，且利用硅氯化物气体和还原剂气体的反应，使硅氯化物气体供给喷嘴的顶端部生成多结晶硅，还使多结晶硅从该硅氯化物气体供给喷嘴的顶端部朝着下方成长。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 结晶 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种高纯度多结晶硅的制造方法，其特征在于：利用纵型反应器，该纵型反应器具有硅氯化物气体供给喷嘴、还原剂气体供给喷嘴、排出气体抽出管，且该硅氯化物气体供给喷嘴从该反应器上部被插入设置到反应器内部；从硅氯化物气体供给喷嘴向该反应器内供给硅氯化物气体，并从还原剂供给喷嘴向该反应器内供给还原剂气体；利用硅氯化物气体和还原剂气体的反应，于硅氯化物气体供给喷嘴的顶端部生成多结晶硅；以及还使多结晶硅从该硅氯化物气体供给喷嘴的顶端部朝着下方成长。
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