[发明专利]具有被包围通道晶体管的半导体器件无效
| 申请号： | 200610145913.8 | 申请日： | 2006-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN101114651A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 李相敦 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L27/04;H01L21/8242;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;张天舒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 半导体器件包括器件隔离结构、被包围通道结构以及栅极电极。所述器件隔离结构形成在半导体基板中，以限定有源区。连接源极/漏极区域的所述被包围通道结构与所述有源区下面的半导体基板分隔开一段给定距离。所述栅极电极包围所述被包围通道结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 包围 通道 晶体管 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：器件隔离结构，其形成在半导体基板中，以限定有源区；被包围通道结构，其与所述有源区下面的半导体基板分隔开一段给定距离，所述被包围通道结构连接源极/漏极区域；以及栅极电极，其包围所述被包围通道结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
