[发明专利]半导体元件埋入承载板的叠接结构及其制法有效

专利信息
申请号: 200610146825.X 申请日: 2006-11-23
公开(公告)号: CN101192544A 公开(公告)日: 2008-06-04
发明(设计)人: 张家维;翁林莹;赖肇国;连仲城 申请(专利权)人: 全懋精密科技股份有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/58;H01L25/00;H01L23/13;H01L23/498
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开一种半导体元件埋入承载板的叠接结构及制法,主要提供分别形成有至少一贯穿开口的第一及第二承载板,且该第一及第二承载板一表面分别形成一第一及第二保护层,将至少一第一及第二半导体元件分别接置于该第一及第二保护层上且容设于该第一及第二承载板开口中,于该第一及第二承载板未形成第一及第二保护层的表面之间压合一介电层,藉以形成一模块化封装结构,因而可有效利用承载板的空间以缩小模块化的体积,且可依使用需求灵活变化组合以组成所需的储存容量,藉以简化半导体封装制造过程,降低制造成本。
搜索关键词: 半导体 元件 埋入 承载 结构 及其 制法
【主权项】:
1.一种半导体元件埋入承载板的叠接结构的制法,包括:提供一第一及第二承载板,于该第一及第二承载板中分别形成有至少一贯穿开口,且该第一及第二承载板一表面分别形成一第一及第二保护层以分别封住该第一及第二承载板的开口,并将至少一第一及第二半导体元件分别容设于该第一及第二承载板的开口中并接置于该第一及第二保护层上;将该第一及第二承载板未形成有该第一及第二保护层的表面之间压合一介电层,以将该介电层填充于该第一及第二承载板的开口中,而将该第一及第二半导体元件固定于该开口中;以及移除该第一及第二保护层,藉以形成一埋设有该第一、第二半导体元件的构装结构。
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