[发明专利]半导体元件埋入承载板的叠接结构及其制法有效
申请号: | 200610146825.X | 申请日: | 2006-11-23 |
公开(公告)号: | CN101192544A | 公开(公告)日: | 2008-06-04 |
发明(设计)人: | 张家维;翁林莹;赖肇国;连仲城 | 申请(专利权)人: | 全懋精密科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/58;H01L25/00;H01L23/13;H01L23/498 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种半导体元件埋入承载板的叠接结构及制法,主要提供分别形成有至少一贯穿开口的第一及第二承载板,且该第一及第二承载板一表面分别形成一第一及第二保护层,将至少一第一及第二半导体元件分别接置于该第一及第二保护层上且容设于该第一及第二承载板开口中,于该第一及第二承载板未形成第一及第二保护层的表面之间压合一介电层,藉以形成一模块化封装结构,因而可有效利用承载板的空间以缩小模块化的体积,且可依使用需求灵活变化组合以组成所需的储存容量,藉以简化半导体封装制造过程,降低制造成本。 | ||
搜索关键词: | 半导体 元件 埋入 承载 结构 及其 制法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体元件埋入承载板的叠接结构的制法,包括:提供一第一及第二承载板,于该第一及第二承载板中分别形成有至少一贯穿开口,且该第一及第二承载板一表面分别形成一第一及第二保护层以分别封住该第一及第二承载板的开口,并将至少一第一及第二半导体元件分别容设于该第一及第二承载板的开口中并接置于该第一及第二保护层上;将该第一及第二承载板未形成有该第一及第二保护层的表面之间压合一介电层,以将该介电层填充于该第一及第二承载板的开口中,而将该第一及第二半导体元件固定于该开口中;以及移除该第一及第二保护层,藉以形成一埋设有该第一、第二半导体元件的构装结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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