[发明专利]清洗厚膜光刻胶的清洗剂无效
| 申请号： | 200610147346.X | 申请日： | 2006-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101201557A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 彭洪修;史永涛;刘兵;曾浩 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;G03F7/32;G03F7/26 |
| 代理公司： | 上海虹桥正瀚律师事务所 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203上海市浦东新区张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种清洗厚膜光刻胶的清洗剂。这种光刻胶清洗剂含有二甲基亚砜、氢氧化钾、烷基醇胺和烷基二醇单苯基醚。本发明的清洗剂可以除去金属、金属合金或电介质基材上的100μm以上厚度的厚膜光刻胶(光阻)，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 光刻 洗剂 | ||
【主权项】：
1.一种清洗厚膜光刻胶的清洗剂，其特征在于含有：二甲基亚砜、氢氧化钾、烷基醇胺和烷基二醇单苯基醚。
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