[发明专利]离子化装置无效
| 申请号： | 200610147394.9 | 申请日： | 2006-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101202197A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 潘升林;陈晓;董春荣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/00 | 分类号： | H01J37/00;H01L21/00;H01L21/3065;H05H1/46;C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种离子化装置，其至少包括一个反应腔和一个阴极，阴极和反应腔相互绝缘且阴极的阴极头伸入反应腔内；其中，阴极伸入反应腔的阴极头表面粗糙。阴极头的表面利用喷砂机打磨粗糙。离子化装置工作过程中产生的附着物集中附着在阴极头的表面。与现有技术相比，本发明的阴极头表面粗糙，可以使离子化装置工作过程中产生的附着物集中附着在阴极头的表面，而且不会掉到反应腔和阴极之间的缝隙造成堵塞，有效防止阴极和反应腔短接。 | ||
| 搜索关键词： | 离子化 装置 | ||
【主权项】：
1.一种离子化装置，至少包括一个反应腔和一个阴极，阴极和反应腔相互绝缘且阴极的阴极头伸入反应腔内；其特征在于：阴极伸入反应腔的阴极头表面粗糙。
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