[发明专利]一种单层多晶硅栅OTP器件及其形成方法

摘要

本发明公开了一种单层多晶硅栅OTP器件及其形成方法，该OTP器件包括传统存储器晶体管(8)和晶体管电容区(9)，但该晶体管电容侧形成预埋层结构(6)。为形成上述器件，可在现有高压工艺基础上，利用高压工艺中的偏移注入，在晶体管电容侧形成预埋层结构。本发明通过器件设计在不改变任何工艺条件的基础上，利用现有高压工艺中已有的偏移注入，在晶体管电容区形成单位电容大、耦合效率高、面积小的嵌入式OTP技术。

主权项

1.一种单层多晶硅栅OTP器件，包括存储器晶体管和晶体管电容区，其特征在于，在所述晶体管电容侧形成预埋层结构。