[发明专利]半导体器件栅极的制作方法及调整方法有效
| 申请号： | 200610147435.4 | 申请日： | 2006-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101207025A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 陈海华;张海洋;杜珊珊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/66;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件栅极的制作方法及调整方法，制作方法包括步骤：沉积具有应力的多晶硅层；刻蚀所述多晶硅层，形成栅极，且所述栅极的形状由所述多晶硅层具有的应力确定，当所述应力为张应力时，形成的栅极底部具有缺角；当所述应力为压应力时，形成的栅极形状为侧壁垂直或底部具有足部。本发明的栅极制作方法，实现简单方便，可以制作出各种形状的栅极，有效提高器件性能。本发明的栅极调整方法利用光学特征尺寸方法检测实际制作的栅极形状，并根据其与设定的栅极形状间的差别，对多晶硅层具有的应力进行调整，最终制作出与设定形状相符的栅极。本发明的调整方法灵活多变，可以在较大范围内实现对栅极形状的调整。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 栅极 制作方法 调整 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件栅极的制作方法，包括步骤：沉积具有应力的多晶硅层；刻蚀所述多晶硅层，形成栅极，且所述栅极的形状由所述多晶硅层具有的应力确定，当所述应力为张应力时，形成的栅极底部具有缺角；当所述应力为压应力时，形成的栅极形状为侧壁垂直或底部具有足部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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