[发明专利]电容器装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种电容器装置及其制造方法，其形成具T字型的电容器装置，以有效的利用扩散阻挡层与下电极层将具高介电常数的介电层与插塞隔离，以避免具有高介电常数的介电层所含的含氧组成物扩散进入插塞中，导致氧化情况的产生，从而提升高介电常数的介电层在工艺上应用，并大幅度改善使用高介电常数的介电材料作为电容器组件的成品率。

主权项

1.一种电容器装置，其特征在于包括：一半导体衬底，其上具有数个插塞；一第一内介电层，位于该半导体衬底上；一蚀刻终止层，位于该第一内介电层上；一第二内介电层，位于该蚀刻终止层上；一T字型沟槽，其贯穿该第一内介电层、该蚀刻终止层与该第二内介电层，且所述插塞自该T字型沟槽底端曝露出；一扩散阻挡层，其位于该T字型沟槽内的四周壁上；一下电极层，其位于该T字型沟槽内的该扩散阻碍层上；一介电层，其覆盖于该下电极层、该扩散阻碍层与该第二内介电层的表面；一上电极层，其位于该介电层上。