[发明专利]对未掺杂硅玻璃掺杂的表面处理方法无效
| 申请号： | 200610148165.9 | 申请日： | 2006-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101209907A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 孙玲玲;周俊;单伟中 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C03C21/00 | 分类号： | C03C21/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对未掺杂硅玻璃掺杂的表面处理方法，对掺杂后的硼硅玻璃或者硼磷硅玻璃采用氧气或者氧化亚氮在射频下进行等离子体处理。本发明采用氧气或者氧化亚氮在射频下对掺杂后的硼硅玻璃或者硼磷硅玻璃进行等离子体处理，不仅可以使得掺质未掺杂玻璃超薄薄膜表面氧化，形成稳定的界面，避免硼磷气体外时释，而且所需温度较低，器件受热情况明显改善。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 玻璃 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对未掺杂硅玻璃掺杂的表面处理方法，其特征是，对掺杂后的硼硅玻璃或者硼磷硅玻璃采用氧气或者氧化亚氮在射频下进行等离子体处理。
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