[发明专利]半导体成像装置及其制造方法和摄影机及其制造方法无效
| 申请号： | 200610148413.X | 申请日： | 2006-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN101183680A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 内田好则 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;G02B5/23;H04N5/225 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 宋鹤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了一种半导体成像装置，包括规定的基材，位于所述基材上并具有多个半导体成像器件和电极的成像器件阵列，用于在对接收光进行光电转换时输出信号电荷，以及位于所述成像器件阵列上的滤色层，其中所述滤色层中含有红外线吸收染料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 成像 装置 及其 制造 方法 摄影机 | ||
【主权项】：
1.一种半导体成像装置，包括：规定基材；位于所述基材上并具有多个半导体成像器件和电极的成像器件阵列，用于在对接收光进行光电转换时输出信号电荷；以及位于所述成像器件阵列上的滤色层，其中所述滤色层中含有红外线吸收染料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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