[发明专利]半导体器件及剥离方法以及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200610148531.0 | 申请日： | 2002-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101097867A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 高山彻;丸山纯矢;水上真由美;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L21/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李静岚;梁永 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及剥离方法以及半导体器件的制造方法。本发明提供一种不会损伤剥离层的剥离方法，目的在于不仅能够剥离具有较小面积的剥离层，而且能够以出色的生产率剥离掉在整个表面上具有较大面积的剥离层。在基片上提供金属层或氮化物层11，并且，提供与前述金属层或氮化物层11接触的氧化层12，此外，如果进行叠层膜形成或者500℃或更高温度的热处理，可以通过物理方式容易地并且明确地在与氧化层12的界面上将层分开。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 剥离 方法 以及 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法包括：在基片上形成金属层；在所述金属层上形成氧化层；通过等离子CVD在所述氧化层上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成包括非晶硅和氢的半导体层；晶化所述半导体层；形成包括所述半导体层的薄膜晶体管；和将所述基片从所述薄膜晶体管分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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