[发明专利]0.6微米硅化物保护自对准工艺无效
| 申请号： | 200610148787.1 | 申请日： | 2006-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101211831A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 邵凯;郑游 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 王月珍 |
| 地址： | 20023*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种0.6微米硅化物保护自对准工艺，在BICMOS标准前道工艺和标准后道工艺之间进行，包括：N+离子注入；P+离子注入；源区、漏区注入；驱动区扩散；清洗液清洗；1500A氧化层沉积；硅化物保护层光照；氧化层干法刻蚀；湿法去胶；前清洗步骤；难融金属沉积；第一步热退火；选择性腐蚀；第二步热退火。本发明的0.6微米硅化物保护自对准工艺能在不破坏其他的双极管、功率器件及肖特基器件性能的前提下大大地提高了准逻辑器件(Standard CMOS)的驱动能力，并大大地降低电路的延迟效应。 | ||
| 搜索关键词： | 0.6 微米 硅化物 保护 对准 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种0.6微米硅化物保护自对准工艺，其特征在于，在BICMOS标准前道工艺和标准后道工艺之间进行，包括：N+离子注入；P+离子注入；源区、漏区注入；驱动区扩散；清洗液清洗；1500A氧化层沉积；硅化物保护层光照；氧化层干法刻蚀；湿法去胶；前清洗步骤；难融金属沉积；第一步热退火；选择性腐蚀；第二步热退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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