[发明专利]六甲基二硅胺烷沉积装置有效
| 申请号： | 200610148808.X | 申请日： | 2006-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101210308A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 胡晓明;周沅晓;张峻铭 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/12 | 分类号： | C23C14/12;C23C14/24;C23C14/54;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种六甲基二硅胺烷沉积装置，包括：容器，所述容器内装有六甲基二硅胺烷液体和通有载流气体；涂布机，所述涂布机内放置有半导体衬底，用于在半导体衬底上形成六甲基二硅胺烷层；气体通路，用于把容器和涂布机相连，所述气体通路上设置有过滤器，用于过滤六甲基二硅胺烷结晶物；所述气体通路的过滤器与涂布机接口之间部分不同处温差不超过6℃，所述温度为18至25℃。所述气体通路可以通过外加中空的恒温套管进行控制温度也可以采用自身具有温度调节功能的电阻丝管子。本发明通过采用恒温的气体通路，在气体通路内防止了六甲基二硅胺烷结晶，避免了由于六甲基二硅胺烷结晶固化造成的半导体衬底光刻不到位，导致刻蚀不干净现象。 | ||
| 搜索关键词： | 甲基 二硅胺烷 沉积 装置 | ||
【主权项】：
1.一种六甲基二硅胺烷沉积装置，包括：容器，所述容器内装有六甲基二硅胺烷液体和通有载流气体；涂布机，所述涂布机内放置有半导体衬底，用于在半导体衬底上形成六甲基二硅胺烷层；气体通路，用于把容器和涂布机相连，所述气体通路上设置有过滤器，用于过滤六甲基二硅胺烷结晶物；其特征在于，所述气体通路的过滤器与涂布机接口之间部分温度范围为18至25℃，各处温度差不超过6℃。
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