[发明专利]检测接触孔蚀刻缺陷的方法有效
| 申请号： | 200610148818.3 | 申请日： | 2006-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101211805A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 许向辉;阎海滨;陈思安;陈宏璘 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种检测接触孔蚀刻缺陷的方法，包括下列步骤：将晶圆分为半导体器件工作区和半导体器件虚拟区，所述半导体器件虚拟区位于半导体工作区边缘；在晶圆上形成介电层；蚀刻介电层至露出晶圆，在半导体器件工作区形成接触孔，在半导体器件虚拟区形成虚拟接触孔；将晶圆放入检测设备，检测虚拟接触孔蚀刻是否完全；如检测出虚拟接触孔蚀刻完全，则检测结束，如检测出虚拟接触孔蚀刻不完全，检测离虚拟接触孔最近的接触孔蚀刻是否完全；如检测出接触孔蚀刻完全，检测结束，如检测出接触孔蚀刻仍不完全，由边缘向中心依次类推检测接触孔蚀刻是否完全。经过上述步骤，提高了晶圆的良品率，并且检测速度快，效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 接触 蚀刻 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种检测接触孔蚀刻缺陷的方法，其特征在于，包括下列步骤：a.将晶圆分为半导体器件工作区和半导体器件虚拟区，所述半导体器件虚拟区位于半导体工作区边缘；b.在晶圆上形成介电层；c.蚀刻介电层至露出晶圆，在半导体器件工作区形成接触孔，在半导体器件虚拟区形成虚拟接触孔；d.将晶圆放入检测设备，检测虚拟接触孔蚀刻是否完全；e.如检测出虚拟接触孔蚀刻完全，检测结束，如检测出虚拟接触孔蚀刻不完全，检测离虚拟接触孔最近的接触孔蚀刻是否完全；f.如检测出接触孔蚀刻完全，检测结束，如检测出接触孔蚀刻仍不完全，由边缘向中心依次类推检测接触孔蚀刻是否完全。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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