[发明专利]集成电路元件、芯片及其制造方法有效
申请号: | 200610149436.2 | 申请日: | 2006-11-20 |
公开(公告)号: | CN101192604A | 公开(公告)日: | 2008-06-04 |
发明(设计)人: | 刘彦秀 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/485;H01L23/522;H01L21/82 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种集成电路芯片的制造方法。此方法包括提供一基底,此基底以一护环区区分为一内部区域与一外部区域。在基底上的内部区域中形成多个电路构件。接着,再于整个基底上形成介电层,并在内部区域的介电层中形成一内连线,同时在外部区域的介电层中形成多个焊垫结构。然后,沿着基底的切割道切割,以形成多个芯片,各芯片的侧边裸露出焊垫结构。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 元件 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路芯片,包括:基底,该基底包括正面、背面,其中该背面与该正面相对应;多个电路构件与多个内连线位于该基底的正面上;以及多个焊垫,其包括多层导电层,至少位于该基底的一侧面,该侧面是由该正面的上表面延伸至该背面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的