[发明专利]液晶显示器件及其制造方法有效
申请号: | 200610149826.X | 申请日: | 2006-10-25 |
公开(公告)号: | CN101097332A | 公开(公告)日: | 2008-01-02 |
发明(设计)人: | 金荣柱;李锡宇 | 申请(专利权)人: | LG.菲利浦LCD株式会社 |
主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333;G02F1/133 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;梁挥 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开一种制造液晶显示器件的方法。在第一基板的像素区域、第一和第二电路区域上分别形成有源图案而在像素区域的有源图案上形成存储电极。形成第一绝缘层、第一和第二导电层。构图第一电路区域中的第一和第二导电层以由第二导电层形成第一栅极,并且向第一电路区域的有源区注入p+离子形成p+源/漏区。构图第一和第二导电层以在第二电路区域中由第二导电层形成第二栅极,在像素区域中由第二导电层形成公共线以及在像素区域中由第一导电层形成像素电极。N+源/漏区形成在像素区域和第二电路区域每个的有源图案中。第一和第二中间绝缘层中形成有接触孔,源极和漏极经由接触孔电连接至第一和第二电路区域的有源图案的源区和漏区。 | ||
搜索关键词: | 液晶显示 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造液晶显示器件的方法,包括:利用单掩模在第一基板的像素区域、第一电路区域和第二电路区域上分别形成有源图案并在所述像素区域的所述有源图案上形成存储电极;在具有所述有源图案和所述存储电极的所述第一基板上形成第一绝缘层;在所述第一绝缘层上形成第一导电层和第二导电层;构图在所述第一电路区域的所述第一和第二导电层以由所述第二导电层形成第一栅极;将高浓度的p+离子注入到所述第一电路区域的所述有源区中以在所述第一电路区域的所述有源图案中形成p+源/漏区;利用单掩模构图所述第一和第二导电层以在所述第二电路区域中由所述第二导电层形成第二栅极、在所述像素区域中由所述第二导电层形成公共线并且在所述像素区域中由所述第二导电层形成像素电极;在每个所述像素区域和所述第二电路区域的所述有源图案中形成n+源/漏区;在所述第一绝缘层、所述第一栅极、所述第二栅极、所述公共线和所述像素电极上形成第一中间绝缘层和第二中间绝缘层;通过部分地除去所述第一绝缘层、所述第一中间绝缘层和所述第二中间绝缘层形成第一接触孔和第二接触孔以暴露在所述第一和第二电路区域的所述有源图案的所述源区和漏区;形成通过所述第一接触孔分别电连接至所述第一和第二电路区域的所述有源图案的所述源区的源极,并形成通过所述第二接触孔分别电连接至所述第一和第二电路区域的所述有源图案的所述漏区的漏极;以及粘接所述第一基板与第二基板从而在其间设置液晶层。
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