[发明专利]用于半导体微影制程的系统与方法有效
| 申请号： | 200610149997.2 | 申请日： | 2006-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1955847A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 陈桂顺;林进祥;高蔡胜;陈俊光;陆晓慈;梁辅杰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种用于半导体制程的光微影方法，包含提供一基材当作一晶圆，以及提供一光罩来曝光此晶圆。此晶圆是使用一种组合高角度照明方法及焦点漂移曝光方式来进行曝光。利用这种整合高角度照明方法和焦点漂移曝光方法的光微影制程，可以降低邻近效应，并增加焦点深度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 微影制程 系统 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体制造方法，其特征在于该制造方法包含：提供一基材；覆盖一光阻层于该基材之上；以及利用高角度照明方法以及焦点漂移曝光方法的组合曝光该基材。
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