[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200610150773.3 申请日: 2006-10-26
公开(公告)号: CN101170139A 公开(公告)日: 2008-04-30
发明(设计)人: 陈敏璋;徐文庆;何雅兰;王荣宗 申请(专利权)人: 中美矽晶制品股份有限公司;陈敏璋
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042;H01L31/02;H01L31/18
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 陈晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种太阳能电池及其制造方法。根据本发明的较佳具体实例的太阳能电池包含半导体结构组合以及由至少一种氧化物所形成的多层原子层结构。该半导体结构组合包含至少一个PN结,并且具有照射面。该多层原子层结构覆盖该半导体结构组合的该照射面。特别地,该多层原子层结构被用作表面钝化层以及透明导电层,并且更进一步,被用作抗反射层。该多层原子层结构经过原子层沉积处理,并且是在较低处理温度下形成的,因此其制造方法较为简单,且不会对太阳能电池本身造成热冲击与热破裂。
搜索关键词: 太阳能电池 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种太阳能电池,包含:半导体结构组合,该半导体结构组合包含至少一个PN结并且具有照射面;以及由至少一种氧化物所形成的第一多层原子层结构,该第一多层原子层结构覆盖该半导体结构组合的该照射面,其中该第一多层原子层结构被用作表面钝化层以及第一透明导电层。
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