[发明专利]五沟道鳍式晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200610150790.7 | 申请日： | 2006-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN1992340A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 金光玉 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：限定凹陷有源区的衬底；鳍式有源区，连接到凹陷有源区并在凹陷有源区以上延伸。鳍式有源区包括第一侧、第二侧、第三侧、第四侧和第五侧，第一侧和第二侧紧邻凹陷有源区，第五侧是鳍式有源区的上侧，第三侧设置于第一侧与第五侧之间，第四侧设置于第二侧与第五侧之间。栅绝缘层形成在鳍式有源区的第一侧、第二侧、第三侧、第四侧和第五侧之上。栅电极层形成在栅绝缘层之上以基本上围绕鳍式有源区的第一侧、第二侧、第三侧、第四侧和第五侧。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：限定凹陷有源区的衬底；鳍式有源区，连接到所述凹陷有源区并在所述凹陷有源区以上延伸，所述鳍式有源区包括第一侧、第二侧、第三侧、第四侧和第五侧，所述第一侧和第二侧紧邻所述凹陷有源区，所述第五侧是所述鳍式有源区的上侧，所述第三侧设置于所述第一侧与所述第五侧之间，所述第四侧设置于所述第二侧与所述第五侧之间；栅绝缘层，形成在所述鳍式有源区的所述第一侧、第二侧、第三侧、第四侧和第五侧之上；以及栅电极层，形成在所述栅绝缘层之上以基本上围绕所述鳍式有源区的所述第一侧、第二侧、第三侧、第四侧和第五侧。
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