[发明专利]有机薄膜三极管传感器、制作方法及用途有效
| 申请号： | 200610151098.6 | 申请日： | 2006-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101196489A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 赵洪;王东兴;殷景华;王喧;桂太龙;宋明歆 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414;H01L51/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨东方专利事务所 | 代理人： | 陈晓光 |
| 地址： | 150080黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 有机薄膜三极管传感器、制作方法及用途，近年来，气体和气味分析的有机气体传感器和感应器阵列的使用已经吸引了很多研究者的关注。本发明是通过测量有机三极管传感器工作电流的变化，实现特定气体微量的测定的有机三极管传感器。有机薄膜三极管传感器，其组成包括：铝蒸发膜构成的栅极，所述的铝蒸发膜栅极两侧具有有机半导体的酞菁铜薄膜，两者之间形成肖特基壁垒，源极和漏极采用与酞菁铜蒸发膜成欧姆性接触的金蒸发膜，所述的漏极为多孔的金电极，所述的漏极和酞菁铜之间具有有机气体敏感膜。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 薄膜 三极管 传感器 制作方法 用途 | ||
【主权项】：
1.一种有机薄膜三极管传感器，其组成包括：铝蒸发膜构成的栅极，其特征是：所述的铝蒸发膜栅极两侧具有有机半导体的酞菁铜薄膜，两者之间形成肖特基壁垒，源极和漏极采用与酞菁铜蒸发膜成欧姆性接触的金蒸发膜，所述的漏极为多孔的金电极，所述的漏极和酞菁铜之间具有有机气体敏感膜。
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