[发明专利]修正光掩模上图形的方法与系统及使用该方法的存储介质无效
申请号: | 200610151536.9 | 申请日: | 2006-09-11 |
公开(公告)号: | CN101144982A | 公开(公告)日: | 2008-03-19 |
发明(设计)人: | 麦永庆;萧立东 | 申请(专利权)人: | 力晶半导体股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01L21/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种修正光掩模上图形的方法。根据第一曝光条件、第二曝光条件与第三曝光条件产生第一能量曲线、第二能量曲线与第三能量曲线,并且计算出第一成像临界值、第二成像临界值和第三成像临界值。根据光掩模上图形、容许误差上限与容许误差下限,产生对应该第二能量曲线的第一检查点与第二检查点和对应该第三能量曲线的第三检查点与第四检查点。判断该第一检查点、该第二检查点、该第三检查点与该第四检查点是否分别落在该第二成像临界值与该第三成像临界值的两边。若否,则修正该光掩模上图形,然后重复上述判断步骤。 | ||
搜索关键词: | 修正 光掩模上 图形 方法 系统 使用 存储 介质 | ||
【主权项】:
1.一种修正光掩模上图形的方法,包括下列步骤:利用根据第一曝光条件建立的光学模型在二维坐标平面上产生第一能量曲线,利用根据第二曝光条件所建立的光学模型在该二维坐标平面上产生第二能量曲线,并且利用根据第三曝光条件所建立的光学模型在该二维坐标平面上产生第三能量曲线;根据上述第一曝光条件计算出第一成像临界值,根据上述第二曝光条件计算出第二成像临界值,并且根据上述第三曝光条件计算出第三成像临界值;根据光掩模上图形、容许误差上限与容许误差下限,产生对应该第二能量曲线的第一检查点与第二检查点和对应该第三能量曲线的第三检查点与第四检查点;判断该第一检查点与该第二检查点是否分别落在该第二成像临界值的两边,并且该第三检查点与该第四检查点是否分别落在该第三成像临界值的两边;并且若否,则修正该光掩模上图形,然后重复上述判断步骤。
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