[发明专利]湿法制作金属导线的方法无效
| 申请号： | 200610151732.6 | 申请日： | 2006-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN101140899A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 吴健为;梁硕玮;陈琬琪;杨承慈;刘思呈;陈柏求;王敏全;官永佳 | 申请（专利权）人： | 台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;广辉电子股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院;统宝光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种湿法制作金属导线的方法，此方法是先在绝缘基板上形成催化黏合层，然后，以无电电镀方式沉积第一金属层，再使用电镀或无电电镀方式沉积第二金属层。之后，再图案化第二金属层与第一金属层，以形成导线。 | ||
| 搜索关键词： | 湿法 制作 金属 导线 方法 | ||
【主权项】：
1.一种湿法制作金属导线的方法，包括：在绝缘基板上形成催化黏合层；使用无电电镀方式沉积第一金属层；使用电镀或无电电镀方式沉积第二金属层；以及图案化该第二金属层、该第一金属层与该催化黏合层至少其中之一。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
