[发明专利]导电聚合物组合物及包含利用它得到的层的电子器件有效
申请号: | 200610153694.8 | 申请日: | 2006-09-14 |
公开(公告)号: | CN101143960A | 公开(公告)日: | 2008-03-19 |
发明(设计)人: | 李泰雨;朴钟辰;柳利烈;夫龙淳;金相烈;金武谦;韩云秀 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | C08L65/00 | 分类号: | C08L65/00;C08L79/02;C08L79/04;C08L49/00;C08K5/541;H01B1/20;H01L51/30;H01L51/46;H01L51/54 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张平元;赵仁临 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种导电聚合物组合物和包含利用该导电聚合物组合物形成的层的电子器件。该导电聚合物组合物包含:选自式(1)的硅氧烷化合物,式(2)的硅氧烷化合物,及式(3)的硅烷化合物中的至少一种化合物;以及导电聚合物,式中R1,R2,X1,X2,X3,X4,X5,X6,X7,X8,X9,X10,X11,X12,X13,X14,X15,X16,X17,X18,X19,X20,D,p,m,q,及r与本发明的说明书中所述的相同。包含利用该导电聚合物组合物形成的层的电子器件具有优异的电致发光特性和长的寿命。 | ||
搜索关键词: | 导电 聚合物 组合 包含 利用 得到 电子器件 | ||
【主权项】:
1.一种导电聚合物组合物,包含:至少一种选自下式(1)的硅氧烷化合物,下式(2)的硅氧烷化合物,及下式(3)的硅烷化合物的化合物;以及导电聚合物:
式中R1和R2可各自独立地选自:-CH2(CH2)mSiX1X2X3,-O-SiX4X5X6,可交联单元,空穴迁移单元,电子迁移单元,发射单元,氢,卤原子,C1-C20烷基,及C6-C30芳基,且R1和R2中至少有一个为-CH2(CH2)mSiX1X2X3,-O-SiX4X5X6,或者可交联单元;X1,X2,X3,X4,X5,X6,X7,X8,X9,X10,X11,X12,X13,X14,X15,X16,X17,X18,X19,及X20各自独立地选自:可交联单元,空穴迁移单元,电子迁移单元,发射单元,氢,及C1-C20烷基,且X1、X2和X3中至少有一个,X4、X5和X6中至少有一个,X7、X8、X9、X10、X11、X12、X13和X14中至少有一个,及X15、X16、X17、X18、X19和X20中至少有一个为可交联单元;D为C1-C20亚烷基,被至少一个卤原子取代的C1-C20亚烷基,被至少一个空穴迁移单元、电子迁移单元或发射单元取代的C1-C20亚烷基,或者二价的空穴迁移单元;p为3~8的整数;m为1~10的整数;q为0或者1~10的整数;r为0或者1~10的整数;q X10相同或相异;q X11相同或相异;及r D相同或相异。
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