[发明专利]处理系统及其等离子体产生装置有效
| 申请号： | 200610153707.1 | 申请日： | 2006-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN101146397A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 刘志宏;谢文宗;蔡陈德;苏濬贤;陈志玮;林春宏 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H05H1/24 | 分类号： | H05H1/24;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种处理系统，利用第一流体对于物件进行处理。处理系统包括基座与等离子体产生装置。基座用以承载物件。等离子体产生装置用以对于第一流体进行离子化。等离子体产生装置包括至少一导引组件与至少一电极组件。导引组件包括路径，第一流体沿着路径依序通过第一位置与第二位置。电极组件包括第一电极与第二电极，在第一电极相对于第一位置、第二电极相对于第二位置之下，第一电极、第二电极对于第一位置与第二位置之间的第一流体进行激能后形成了第二流体，第二流体对于基座上的物件进行表面处理、活化、清洁、光致抗蚀剂灰化或蚀刻处理。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 系统 及其 等离子体 产生 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体产生装置，用以对于第一流体进行离子化，该等离子体产生装置包括：至少一导引组件，包括一路径，该第一流体沿着该路径依序通过第一位置与第二位置；以及至少一电极组件，包括第一电极与第二电极，在该第一电极相对于该第一位置、该第二电极相对于该第二位置之下，该第一电极、该第二电极对于该第一位置与该第二位置之间的该第一流体进行激能后形成了第二流体，其中，该第一流体的能量状态不同于该第二流体的能量状态。
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