[发明专利]半导体存储装置及其驱动方法有效
| 申请号： | 200610156408.3 | 申请日： | 2006-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101075476A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 朴文必 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40;G11C11/4063;G11C11/4074;G11C11/404;G11C11/4096 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体存储装置，包括：单元区域，具有多个单位单元，每个单位单元具有开关MOS晶体管以传输数据；外围电路部件，用于存取该单位单元中所储存的数据；以及阈值电压控制部件，控制该开关MOS晶体管的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，包括：单元区域，具有多个单位单元，每个所述单位单元具有晶体管以传输数据，所述晶体管具有阈值电压；外围电路部件，用于存取所述单位单元中所储存的数据；以及阈值电压控制部件，控制所述晶体管的所述阈值电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610156408.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
