[发明专利]高比容阴极箔的制备方法有效
| 申请号： | 200610156891.5 | 申请日： | 2006-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101093751A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 徐永进;廖振华;陈建军;刘伟强 | 申请（专利权）人： | 深圳清华大学研究院 |
| 主分类号： | H01G9/055 | 分类号： | H01G9/055;H01G13/00;C25D11/04;C23C14/35;C25D11/16 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郑小粤 |
| 地址： | 518057广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种高比容阴极箔的制备方法，其特征在于：选择光箔作为基材，先在其表面采用化成处理，使之在铝箔表面形成一层致密的、均匀的、具有单向导电性的氧化铝层，然后再采用磁控溅射方法在其表面形成一层钛金属膜。铝箔表面经过蒸镀处理后，还可再进行高温处理，使钛金属表面形成一层钝化膜。本发明由于提前对铝表面进行阳极氧化，与蒸镀金属直接接触的就是在氧化气氛下稳定的氧化铝层，对蒸镀金属的附着力无影响。在空气中进行高温炭化时，不会影响产品的阻抗和容量，大大简化了高比容固体电容的制备难度。另外，在磁控溅射过程中，通过连续地调节氮气浓度，可使铝箔表面金属钛成分呈梯度下降，氮化钛成分呈梯度增长，进一步提高了溅射层的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 比容 阴极 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高比容阴极箔的制备方法，其特征在于：选择光箔作为基材，先在其表面采用化成处理，使之在铝箔表面形成一层致密的、均匀的、具有单向导电性的氧化铝层，然后再采用磁控溅射方法在其表面形成一层钛金属膜。
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