[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200610156990.3 申请日: 2006-11-22
公开(公告)号: CN101192614A 公开(公告)日: 2008-06-04
发明(设计)人: 陈弘育;彭家鹏 申请(专利权)人: 群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种薄膜晶体管基板的制造方法,其步骤包括:提供一绝缘基底;在一道光罩制造中,形成对向电极在该绝缘基底;在一道光罩制造中,形成公共电极线、栅极线与栅极在该绝缘基底;在一道光罩制造中,形成一栅极绝缘层及形成一半导体层在该栅极绝缘层;在一道光罩制造中,形成源极及漏极在该半导体层;在一道光罩制造中,形成一保护层及至少一截断区,该截断区使该对向电极与该栅极线之间断开;在一道光罩制造中,形成对应该对向电极设置的像素电极在该保护层。该薄膜晶体管基板的制造方法提高该薄膜晶体管基板的制造良率。本发明还公开一种该薄膜晶体管基板制造方法制造出的薄膜晶体管基板。
搜索关键词: 薄膜晶体管 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管基板,其包括多条栅极线、多条与该多条栅极线相互平行的公共电极线、多条数据线,该多条栅极线与该多条数据线垂直绝缘相交界定多个像素单元,该每一像素单元对应一对向电极,其特征在于:该每一像素单元进一步对应至少一截断区,该截断区设置在该对向电极与该栅极线之间,切断该对向电极与该栅极线之间的电连接。
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