[发明专利]三维电编程只读存储器无效
| 申请号： | 200610159412.5 | 申请日： | 2002-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101110425A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 张国飙 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;G11C17/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610051四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提出一种三维电编程只读存储器(3D－EPROM)，它含有一编程电压接线垫，该编程电压接线垫为该3D－EPROM引入编程电压(Vpp)。因此，3D－EPROM不需含有Vpp产生电路。这能简化3D－EPROM设计，并降低其成本。本发明还提出一种能对至少两个存储元同时进行编程的3D－EPROM。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 编程 只读存储器 | ||
【主权项】：
1.一种三维电编程只读存储器(3D-EPROM)，其特征在于含有：一衬底电路(10)；至少一堆叠在该衬底电路上方的三维存储层(100)，该三维存储层通过多个接触通道口(20v)与所述衬底电路相连；和一编程电压接线垫(12P，70P)，该编程电压接线垫为该三维存储层引入编程电压(Vpp)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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