[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610159801.8 | 申请日： | 2002-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1945856A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 丸山纯矢;高山彻;后藤裕吾 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/00;H01L27/12;H01L27/32;H01L51/50;H01L21/336;H01L21/84;H01L21/00;H01L51/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈景峻 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种总体上既轻且薄并且具有柔性(可弯曲)的半导体器件，它具有半导体元件(薄膜晶体管、薄膜二极管、硅PIN结的光电转换元件或硅电阻元件)，以及制造所述半导体器件的方法。在本发明中，并非在塑料膜上形成元件。相反，诸如衬底的平板被用作模板，利用作为第二粘合构件(16)的凝结剂(一般为粘合剂)填充衬底(第三衬底(17))和包括元件的层(剥离层(13))之间的间隙，并且在粘合剂凝结后剥去用作模板的衬底，从而单独用凝结的粘合剂(第二粘合构件(16))固定包括元件的层(剥离层(13))。以这种方式，本发明使膜变薄并且重量减轻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一层，形成在所述第一层上的第二层，形成在所述第二层上的第三层，以及形成在所述第三层上的元件层，其中：所述第一层包括一个粘合构件，所述第二层包括金属或氮化物，以及所述第三层包括氧化物。
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