[发明专利]在下电极上具有缓冲层的可变电阻存储器件有效
| 申请号： | 200610159882.1 | 申请日： | 2006-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN101068038A | 公开（公告）日： | 2007-11-07 |
| 发明（设计）人： | 埃尔·M·布里姆;李殷洪;赵重来 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种包括可变电阻材料的非易失性存储器件。该非易失性存储器件包括：下电极；形成在该下电极上的缓冲层，该缓冲层由氧化物构成；形成在该缓冲层上的氧化物层，该氧化物层具有可变电阻特性；以及形成在该氧化物层上的上电极。 | ||
| 搜索关键词： | 在下 电极 具有 缓冲 可变 电阻 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种包括可变电阻材料的非易失性存储器件，该存储器件包括：下电极；形成在该下电极上的缓冲层，该缓冲层由氧化物构成；形成在该缓冲层上的氧化物层，该氧化物层具有可变电阻特性；以及形成在该氧化物层上的上电极。
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