[发明专利]嵌入有半导体IC的基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200610159955.7 | 申请日： | 2006-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN1941339A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 川畑贤一;森田高章 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/48;H05K1/00;H05K3/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉;吕俊刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了嵌入有半导体IC的基板及其制造方法。一种适合嵌入其中电极间距非常窄的半导体IC的嵌入有半导体IC的基板。该基板包括：其中在主表面(120a)上设置有柱状凸点(121)的半导体IC(120)；用于覆盖半导体IC(120)的主表面(120a)的第一树脂层(111)；以及用于覆盖半导体IC(120)的背面(120b)的第二树脂层(112)。半导体IC(120)的柱状凸点(121)从第一树脂层(111)的表面凸起。用于使柱状凸点(121)从第一树脂层(111)的表面凸起的的方法可以包括使用湿法喷砂方法使第一树脂层(111)的厚度整体减小。由此，即使在半导体IC(120)的电极间距窄时也可以适当地暴露出柱状凸点(121)。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌入 半导体 ic 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种嵌入有半导体IC的基板，该基板包括：半导体IC，其中在该半导体IC的主表面上设置有多个导电凸起；第一树脂层，用于覆盖所述半导体IC的主表面；以及第二树脂层，用于覆盖所述半导体IC的背面，其中，所述半导体IC的导电凸起从所述第一树脂层的表面凸起。
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