[发明专利]对光刻衬底上的正色调抗蚀剂层进行构图的方法无效
申请号: | 200610160503.0 | 申请日: | 2006-10-08 |
公开(公告)号: | CN1945444A | 公开(公告)日: | 2007-04-11 |
发明(设计)人: | J·M·芬德斯 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01L21/027;G03F7/039;G03F7/26 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘红;张志醒 |
地址: | 荷兰费*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种单曝光方法和双曝光方法,以减少掩模误差因子并提高光刻印刷步骤分辨率。本发明包括使用正色调抗蚀剂,将具有稠密线和间隙的需要图案分解为印刷在交错位置的半稠密间隙的两个子图案。每次曝光都在对两个半稠密间隙的相应掩模图案施加相对间隙宽度扩展之后执行。表示间隙宽度扩展的因子具有1到3之间的值,从而减少掩模误差因子和线边粗糙。 | ||
搜索关键词: | 光刻 衬底 色调 抗蚀剂层 进行 构图 方法 | ||
【主权项】:
1、一种对抗蚀剂层构图的方法,至少部分覆盖光刻的衬底,并包含由目标特征和相邻间隙的周期性排列组成的目标图案,该目标特征具有目标特征宽度,该方法包括:照明包括由对象特征和相邻间隙的周期性排列组成的掩模图案,该对象特征具有对象特征宽度;将掩模图案以一定缩小率投影在衬底上;曝光抗蚀剂层以成像掩模图案,其中每个对象特征以比各自的相邻间隙的亮度低的亮度成像,并且该方法进一步包括:设置一个比率,定义为对象特征宽度乘以缩小率并除以目标特征宽度,设为低于0.8的值,以及对该低于0.8的比率进行补偿以提供目标图案。
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