[发明专利]CdSeS量子点纳米颗粒的制备方法有效
申请号: | 200610163308.3 | 申请日: | 2006-11-30 |
公开(公告)号: | CN101191052A | 公开(公告)日: | 2008-06-04 |
发明(设计)人: | 沙印林;张伟 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | C09K11/54 | 分类号: | C09K11/54 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳;彭益群 |
地址: | 100083北京市海淀区学*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种新型的、光致发光谱随化学组成连续可调的、三元组分的半导体CdSeS量子点纳米颗粒及其制备方法。该CdSeS量子点纳米颗粒中Cd∶Se∶S的摩尔比例为1∶x∶y,0.001≤x≤0.1,0.1≤y≤10。随着x和y的变化,该CdSeS量子点纳米颗粒在450-700nm的范围内具有不同的光致发光谱,并且半峰宽在25-40nm的范围内。该CdSeS的制备方法包括:将无机镉化合物、脂肪酸和长链三烃基胺在惰性气体的保护下加热到200-350℃,得到溶液A;将S、Se的三烃基膦混合溶液注入到溶液A中使其反应,得到CdSeS量子点纳米颗粒与长链三烃基胺的混合物B;除去混合物B中的未反应物、杂质和反应溶剂,得到CdSeS量子点纳米颗粒。 | ||
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【主权项】:
1.一种CdSeS量子点纳米颗粒,其特征在于所述CdSeS量子点纳米颗粒中Cd∶Se∶S的摩尔比例为1∶x∶y,其中0.001≤x≤0.1,0.1≤y≤10,并且其中随着x和y的变化,所述CdSeS量子点纳米颗粒在450-700nm的范围内具有不同的光致发光谱,并且半峰宽在25-40nm的范围内。
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