[发明专利]CdSeS量子点纳米颗粒的制备方法有效

专利信息
申请号: 200610163308.3 申请日: 2006-11-30
公开(公告)号: CN101191052A 公开(公告)日: 2008-06-04
发明(设计)人: 沙印林;张伟 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: C09K11/54 分类号: C09K11/54
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 龙淳;彭益群
地址: 100083北京市海淀区学*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种新型的、光致发光谱随化学组成连续可调的、三元组分的半导体CdSeS量子点纳米颗粒及其制备方法。该CdSeS量子点纳米颗粒中Cd∶Se∶S的摩尔比例为1∶x∶y,0.001≤x≤0.1,0.1≤y≤10。随着x和y的变化,该CdSeS量子点纳米颗粒在450-700nm的范围内具有不同的光致发光谱,并且半峰宽在25-40nm的范围内。该CdSeS的制备方法包括:将无机镉化合物、脂肪酸和长链三烃基胺在惰性气体的保护下加热到200-350℃,得到溶液A;将S、Se的三烃基膦混合溶液注入到溶液A中使其反应,得到CdSeS量子点纳米颗粒与长链三烃基胺的混合物B;除去混合物B中的未反应物、杂质和反应溶剂,得到CdSeS量子点纳米颗粒。
搜索关键词: cdses 量子 纳米 颗粒 制备 方法
【主权项】:
1.一种CdSeS量子点纳米颗粒,其特征在于所述CdSeS量子点纳米颗粒中Cd∶Se∶S的摩尔比例为1∶x∶y,其中0.001≤x≤0.1,0.1≤y≤10,并且其中随着x和y的变化,所述CdSeS量子点纳米颗粒在450-700nm的范围内具有不同的光致发光谱,并且半峰宽在25-40nm的范围内。
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