[发明专利]硅片刻蚀的方法有效
| 申请号： | 200610164844.5 | 申请日： | 2006-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN101197269A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 荣延栋 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片刻蚀的方法，包括硅片刻蚀步，还包括除去颗粒步。硅片刻蚀步结束后，首先向刻蚀腔室中通入工艺气体，通过射频源将工艺气体电离成等离子体，等离子体轰击硅片刻蚀过程中产生的颗粒，使其脱离刻蚀腔室内壁或硅片表面；然后向刻蚀腔室中通入工艺气体，将脱离刻蚀腔室内壁或硅片表面的颗粒带走。能有效清除刻蚀工艺过程中产生的颗粒。适用与对各种半导体硅片的刻蚀，尤其适用于对多晶硅栅极的刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅片刻蚀的方法，包括硅片刻蚀步，其特征在于，所述硅片刻蚀步之后还包括除去颗粒步，所述颗粒为硅片刻蚀过程产生的副产物，吸附在刻蚀腔室的内壁或硅片表面上，所述除去颗粒步包括步骤：A、向刻蚀腔室中通入工艺气体，通过射频源将工艺气体电离成等离子体，等离子体轰击所述颗粒，使其脱离刻蚀腔室内壁或硅片表面；B、向刻蚀腔室中通入工艺气体，将脱离刻蚀腔室内壁或硅片表面的颗粒带走。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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