[发明专利]反应腔室内衬及包含该内衬的反应腔室有效
| 申请号： | 200610164847.9 | 申请日： | 2006-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN101197249A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 管长乐 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/205;H01L21/67;C23C16/00;C23F4/00;H01J37/32;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇;郭宗胜 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种反应腔室内衬及包含该内衬的反应腔室，包括侧面内衬、底面内衬，底面内衬高于侧面内衬的下缘，且至少有一层底面内衬，底面内衬上开有多个内衬孔。包含该内衬的反应腔室被分割为上方空间和下方空间，并通过内衬孔使上方的空间与下方的空间相通。从进气口进入反应腔室的工艺气体必须通过底面内衬上的内衬孔才能从排气口被抽出。使反应腔室内的气体流速趋于均匀化，既能使腔室壁得到保护、又能使腔室内的气体分布均匀。当晶片在腔室中进行刻蚀工艺时，整个晶片表面上可以获得均匀的刻蚀速率。本发明主要适用于半导体加工设备的反应腔室，也适用于其它类似的腔室。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 内衬 包含 | ||
【主权项】：
1.一种反应腔室内衬，包括侧面内衬、底面内衬，其特征在于，所述的底面内衬高于侧面内衬的下缘，且至少有一层底面内衬；所述底面内衬上开有多个内衬孔，使底面内衬上方的空间与下方的空间相通。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610164847.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
