[发明专利]用于电吸收调制激光器封装用的热沉无效
| 申请号： | 200610165108.1 | 申请日： | 2006-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101202418A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 侯广辉;刘宇;祝宁华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01S5/022;H01S5/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种用于电吸收调制激光器封装用的热沉，包括：一热沉；一第一信号电极蒸镀在热沉的一侧，用来给电吸收调制激光器提供工作时DFB激光器所需要的偏置电流；一第二信号电极蒸镀在热沉的另一侧的上端，用来给电吸收调制激光器提供工作时EA调制器所需要的反向偏置电压和高频调制信号；一薄膜电阻制作在热沉上，位于第二信号电极的一侧，并与第二信号电极连接；一地电极蒸镀在热沉表面，形状概似一倒T型结构，该地电极与薄膜电阻连接；一旁路电容制作在地电极上，靠近第一信号电极，该旁路电容的作用是将DFB激光器和EA调制器之间存在的耦合电信号导入到地。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 吸收 调制 激光器 封装 | ||
【主权项】：
1.一种用于电吸收调制激光器封装用的热沉，其特征在于，其中包括：一热沉；一第一信号电极，该第一信号电极蒸镀在热沉的一侧，该第一信号电极用来给电吸收调制激光器提供工作时DFB激光器所需要的偏置电流；一第二信号电极，该第二信号电极蒸镀在热沉的另一侧的上端，该第二信号电极用来给电吸收调制激光器提供工作时EA调制器所需要的反向偏置电压和高频调制信号；一薄膜电阻，该薄膜电阻制作在热沉上，位于第二信号电极的一侧，并与第二信号电极连接，该薄膜电阻的作用是在实际测试过程中降低电吸收调制激光器中EA调制器的高阻；一地电极，该地电极蒸镀在热沉表面，形状概似一倒T型结构，该地电极与薄膜电阻连接，该地电极用来提供一个连接到地的电极；一旁路电容，该旁路电容制作在地电极上，靠近第一信号电极，该旁路电容的作用是将DFB激光器和EA调制器之间存在的耦合电信号导入到地。
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