[发明专利]绝缘体上应变硅异质结的无损检测方法有效
| 申请号： | 200610165285.X | 申请日： | 2006-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101201330A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 马通达;屠海令;胡广勇;孙泽明;邵贝羚;刘安生 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | G01N23/207 | 分类号： | G01N23/207;G01N23/205 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种绝缘体上应变硅异质结的无损检测方法，它包括：(1)、根据所要检测的应变硅异质结的晶体学结构特征，按X射线双晶对称衍射几何进行实验布置；(2)、利用同步辐射单色光对样品进行双晶对称衍射获得摇摆曲线，得到应变硅异质结的衍射峰；(3)、将样品以表面法线为轴旋转180°，再次获得摇摆曲线；(4)、比较旋转180°前后的双晶摇摆曲线，判断各衍射峰与衍射结构的对应关系；(5)、调整入射线的入射角度，以使Si层衍射合峰呈现非对称性或出现分立的峰；(6)、固定入射线的入射角度，在各衍射峰上拍摄对应衍射结构的同步辐射形貌像。本发明的优点是：实验程序简单、快捷，无须破坏样品即可获得应变硅异质结中位错的空间分布情况以及相关晶体学信息。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 应变 硅异质结 无损 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘体上应变硅异质结的无损检测方法，其特征在于：(1)、根据所要检测的应变硅异质结的晶体学结构特征，按X射线双晶对称衍射几何进行实验布置；(2)、利用同步辐射单色光对样品进行对称衍射获得双晶摇摆曲线，得到应变硅异质结的衍射峰；(3)、将样品以表面法线为轴旋转180°，再次获得双晶摇摆曲线；(4)、比较旋转180°前后的双晶摇摆曲线，判断各衍射峰与衍射结构的对应关系；(5)、调整入射线的入射角度，以使Si层衍射合峰呈现非对称性或出现分立的峰；(6)、固定入射线的入射角度，在各衍射峰上拍摄对应衍射结构的同步辐射形貌像。
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