[发明专利]硅化钨硅片刻蚀的方法有效
| 申请号： | 200610165407.5 | 申请日： | 2006-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101207038A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 王铮 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇;郭宗胜 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅化钨硅片刻蚀的方法，用于在硅化钨硅片上刻蚀工艺线条，包括硅化钨主刻蚀、硅化钨过刻蚀、多晶硅过刻蚀，将现有技术中的硅化钨过刻和多晶硅主刻合成一步，减少了刻蚀步骤，进而减少了在工艺过程中产生的颗粒污染和缺陷，提高了硅片的良率，而且提高了生产效率。主要适用于硅化钨硅片的刻蚀，也适用于其它金属硅化物硅片的刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 硅化钨 硅片 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅化钨硅片刻蚀的方法，用于在硅化钨硅片上刻蚀工艺线条，所述硅化钨硅片包括硅化钨层、多晶硅层，其特征在于，包括步骤：A、硅化钨主刻蚀，用于刻蚀掉大部分的硅化钨；B、硅化钨过刻蚀，用于刻蚀掉残余的硅化钨和大部分的多晶硅；C、多晶硅过刻蚀，用于刻蚀掉残余的多晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
