[发明专利]形成半导体器件位线的方法无效
| 申请号： | 200610168278.5 | 申请日： | 2006-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101097886A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 郑哲谟;赵挥元;金恩洙;洪承希 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘继富 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成半导体器件的导电结构(例如位线)的方法，包括在其中形成有结构的半导体衬底上形成阻挡金属层。在阻挡金属层上形成无定形钛碳氮化物层。在包括硼气体的气氛下在无定形钛碳氮化物层上形成钨种层。在钨种层上形成钨层，由此形成位线。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，包括：在提供在半导体衬底上的沟槽上形成阻挡金属层，所述阻挡金属层提供在沟槽的表面上；在阻挡金属层上形成无定形钛碳氮化物层；在无定形钛碳氮化物层上形成钨种层；和在钨种层上形成钨层，以形成导电结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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