[发明专利]用于热增强和等离子体增强气相沉积的装置及操作方法有效
申请号: | 200610168334.5 | 申请日: | 2006-12-18 |
公开(公告)号: | CN101205605A | 公开(公告)日: | 2008-06-25 |
发明(设计)人: | 李一成;石坂忠大;山本薰;五味淳;原正道;藤里敏章;雅克·法盖特;水泽宁 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;C23C16/513;C23C16/52;C23C16/06;C23C16/22 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 柳春雷 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质以及系统:将衬底布置在处理系统的处理空间中,处理空间与处理系统的传递空间真空隔离;在处理空间中的第一位置或第二位置对衬底进行处理,同时保持与传递空间的真空隔离;在第一位置或第二位置在所述衬底上沉积材料。同样,该系统包括第一组件,第一组件设置有便于材料沉积的处理空间;第二组件,连接到第一组件并具有便于将衬底传递进出沉积系统的传递空间;衬底载台,连接到第二组件并设置为支撑衬底以及将衬底在传递空间中的第一位置到处理空间中的第二位置之间进行平移。该系统包括密封组件,密封组件设置为在衬底在处理空间中平移的过程中阻挡气体在处理空间与传递空间之间的流动。 | ||
搜索关键词: | 用于 增强 等离子体 沉积 装置 操作方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于在衬底上形成沉积物的沉积系统,包括:第一组件,具有处理空间,所述处理空间设置为便于材料沉积;第二组件,连接到所述第一组件并具有传递空间,所述传递空间便于将所述衬底传递进出所述沉积系统;衬底载台,连接到所述第二组件并设置为对所述衬底进行支撑以及将所述衬底在所述处理空间中的第一位置到所述处理空间中的第二位置之间进行传递以改变所述处理空间的大小;以及密封组件,具有密封件,所述密封件设置为在所述衬底在所述处理空间中的平移过程中阻挡气体在所述处理空间与所述传递空间之间流动。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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