[发明专利]低温气体制冷提高MCVD沉积效率与质量的方法和装置无效
| 申请号： | 200610169729.7 | 申请日： | 2006-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101041550A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 魏淮;郑凯;毛向桥;彭健;李宏雷 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学 |
| 主分类号： | C03B37/018 | 分类号： | C03B37/018 |
| 代理公司： | 北京市商泰律师事务所 | 代理人： | 齐玲;毛燕生 |
| 地址： | 100044*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低温气体制冷提高MCVD沉积效率与质量的方法和装置，尤其适用于掺杂光纤制作中疏松层的沉积过程，提高疏松层质量。该方法先对制冷气体进行低温冷却，然后使冷气通过喷气吹冷装置给MCVD沉积过程中的沉积管加热反应区下游降温，从而改变管内反应产生物颗粒的沉积附着过程，提高沉积效率，同时改善生成物颗粒附着层的质量。本发明中还包含了制冷气体的冷却降温装置。使用本发明可以提高光纤预制棒生产效率和质量，特别是有利于提高用于制作光纤激光器和放大器的掺杂光纤的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 气体 制冷 提高 mcvd 沉积 效率 质量 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种低温气体制冷提高MCVD沉积效率与质量的装置，其特征在于它包括制冷气体低温介质降温装置、制冷气体喷射装置和反馈控制装置；在制冷气体低温介质降温装置的绝热容器(10)内装有低温介质(11)及管道(12)，管道(12)在绝热容器(10)内弯制成螺旋状(14)，并没入低温介质(11)中；管道(12)的进气管口(13)和出气管口(15)穿过绝热双孔塞(17)与外界相连，出气管口(15)上包覆绝缘层(16)；制冷气体喷射装置为一圆环形基座(18)，基座外部设有低温冷气气路(20)，基座体上有对称设置的低温冷气喷口(19)；反馈控制装置是在低温冷气喷口(19)附近安装小型温度传感器用来检测制冷温度，该信息采集进入电脑系统用于制冷气体的流量控制，实现制冷系统的智能调整和控制。
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