[发明专利]GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测和分析方法无效
| 申请号： | 200610169748.X | 申请日： | 2006-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101212125A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 梁凌燕;叶小玲;徐波;陈涌海;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/343;H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤1：将激光器管芯的引线焊接在样品架上；步骤2：调整样品架，使光垂直于激光器管芯腔面入射；步骤3：将样品架的引线接入光电流测量系统的电路，并确定激光器管芯处于反偏0V状态；步骤4：测量激光器管芯的光电流曲线；步骤5：调节外接电源的输出电压，使管芯的外接偏置电压按步长L增加；步骤6：检测信噪比，若发现信噪比明显变差，则停止测量，若没有则重复步骤4。 | ||
| 搜索关键词： | gaas 半导体 量子 激光器 管芯 质量 检测 分析 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤1：将激光器管芯的引线焊接在样品架上；步骤2：调整样品架，使光垂直于激光器管芯腔面入射；步骤3：将样品架的引线接入光电流测量系统的电路，并确定激光器管芯处于反偏0V状态；步骤4：测量激光器管芯的光电流曲线；步骤5：调节外接电源的输出电压，使激光器管芯的外接偏置电压按步长L增加；步骤6：检测信噪比，若发现信噪比明显变差，则停止测量，若没有则重复步骤4，若是停止测量。
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