[发明专利]恢复光刻工艺中横磁波对比度的方法和系统有效
| 申请号： | 200610171821.7 | 申请日： | 2006-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN1975583A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 黎家辉;D·法伊弗;A·E·罗森布卢特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种在使用高数值孔径成像工具的光刻工艺中将具有感光区域的抗蚀剂层曝光到图像的方法和系统。其中利用了基板，其具有反射成像工具的射线的层，以及在反射层上具有感光区域的抗蚀剂层，其具有厚度。成像工具适于将包含虚像的射线投射到抗蚀剂层上，包含虚像的射线的一部分穿过抗蚀剂层，并反射回抗蚀剂层。反射的射线穿过抗蚀剂层的厚度在抗蚀剂层中形成投射的虚像的干涉图案。选择抗蚀剂层的感光区域相对于反射层的厚度和位置，以在干涉图案中在抗蚀剂厚度方向上包括干涉图案的较高对比度部分，并从抗蚀剂层的感光区域中在抗蚀剂厚度方向上排除干涉图案的较低对比度部分，以提高抗蚀剂层的感光区域中虚像的对比度。 | ||
| 搜索关键词： | 恢复 光刻 工艺 中横磁波 对比度 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种在使用高数值孔径成像工具的光刻工艺中将具有感光区域的抗蚀剂层曝光到图像的方法，包括：提供具有高数值孔径的成像工具，用于投射形成虚像的射线；提供具有反射层的基板和在所述反射层上具有感光区域的抗蚀剂层，所述反射层反射所述成像工具的射线，所述抗蚀剂层具有厚度；将包含虚像的射线从所述成像工具投射到所述抗蚀剂层上，所述包含虚像的射线的一部分穿过所述抗蚀剂层；以及将穿过所述抗蚀剂层的所述包含虚像的射线的一部分反射离开所述反射层并返回到所述抗蚀剂层，所述反射的射线穿过所述抗蚀剂层的厚度在所述抗蚀剂层中形成投射的虚像的干涉图案，其中，选择所述抗蚀剂层的感光区域相对于所述反射层的位置，以在所述干涉图案中在所述抗蚀剂厚度方向上包括所述干涉图案的较高对比度部分，并从所述抗蚀剂层的感光区域中在所述抗蚀剂厚度方向上排除所述干涉图案的较低对比度部分，以提高所述抗蚀剂层的感光区域中虚像的对比度。
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