[发明专利]液晶显示器及其制造方法有效
| 申请号： | 200610172282.9 | 申请日： | 2006-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101097370A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 李锡宇;金荣柱 | 申请（专利权）人： | LG.菲利浦LCD株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/133;G03F7/20;H01L21/027;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供液晶显示器及其制造方法。该液晶显示器的制造方法包括以下步骤：制备限定了分为薄膜晶体管区和存储区的像素部分的绝缘基板；在基板的整个表面上顺序地形成多晶硅膜和存储电极膜；对存储电极膜和多晶硅膜选择性地进行构图，以形成覆盖像素部分的像素图案；以及从像素图案选择性地去除薄膜晶体管区的存储电极膜，以在存储区中形成存储电极并同时在薄膜晶体管区中形成有源层，该有源层是由被存储电极暴露的多晶硅膜形成的。由于通过使用单个掩模的衍射曝光来形成有源层和存储电极，因此可以减少在制造薄膜晶体管的过程中使用的掩模的数量，以减少制造工艺步骤和制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶显示器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种液晶显示器的制造方法，该制造方法包括以下步骤：制备限定了分为薄膜晶体管区和存储区的像素部分的绝缘基板；在所述基板的整个表面上顺序地形成多晶硅膜和存储电极膜；对所述存储电极膜和所述多晶硅膜选择性地进行构图，以形成覆盖所述像素部分的像素图案；以及从所述像素图案选择性地去除所述薄膜晶体管区的所述存储电极膜，以在所述存储区中形成存储电极并同时在所述薄膜晶体管区中形成第一有源层，该有源层是由被所述存储电极暴露的多晶硅膜形成的。
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