[发明专利]半导体组件及其形成方法有效
| 申请号： | 200610172770.X | 申请日： | 2006-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101127355A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 涂国基;陈椿瑶 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L27/02;H01L21/8242;H01L21/82 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭晓东 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体组件。此半导体组件包括具有阵列区及去耦合区的基板，第一介电层设置于该基板上，第二介电层设置在该第一介电层上，多个主动区形成在阵列区的第一介电层，第一电容器形成于阵列区的第二介电层，第二电容器形成于去耦合区的第二介电层，且第一插塞形成阵列区的第一介电层中，电性连接主动元件及第一电容器。此外，本发明另提供形成此半导体组件的形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 组件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体组件，包括基板，具有阵列区及去耦合区；第一介电层，设置于该基板上；第二介电层，设置于该第一介电层上；多个主动元件，形成于该阵列区的第一介电层上；第一电容器，形成于该阵列区的第二介电层中；第二电容器，形成于该去耦合区的第二介电层中，以及插塞，形成于该阵列区的第一介电层中，且电性连接该主动元件及该第一电容器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
