[发明专利]除去光致抗蚀剂和后蚀刻残留物的气体混合物及其应用无效
| 申请号： | 200610172848.8 | 申请日： | 2006-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN101025578A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | C·帕杜拉鲁;A·詹森;D·斯彻尔弗;R·查拉坦;T·乔伊 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;G03F7/36;G03F7/26;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 任宗华 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在剥离电介质后蚀刻残留物期间，在氧气剥离等离子体中产生的原子氧与低－k介电材料反应并损坏低－k介电材料。在剥离电介质后蚀刻残留物期间，使用氢剥离等离子体，低－k介电材料的损坏更低，氢剥离等离子体具有更低的剥离率。在氢剥离等离子体中引入氧改善了光致抗蚀剂剥离率和均匀度，而维持氢气和氧气的比率避免了低－k介电材料的损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 除去 光致抗蚀剂 蚀刻 残留物 气体 混合物 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种从具有低-k介电材料层的半导体衬底除去光致抗蚀剂和后蚀刻残留物的方法，包括：把具有其上具有光致抗蚀剂和后蚀刻残留物的低-k介电材料层的半导体衬底引入到下游反应室中；在上游加料器中产生包括反应性物种的等离子体，其中反应性物种包括原子氢和原子氧，其中原子氧钝化暴露于等离子体的加料器表面，其中等离子体从包括氧气，氢气和惰性载气的气体混合物产生，并且其中氢气和氧气的体积比大于2∶1，和把反应性物种引入到下游应室中，其中原子氢从低-k介电材料除去光致抗蚀剂和后蚀刻残留物。
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