[发明专利]具区域性粗化表面的固态发光设备及其制作方法有效
| 申请号： | 200610172889.7 | 申请日： | 2006-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101212012A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 李玉柱;蔡炯棋;蔡宗良;林素慧 | 申请（专利权）人： | 广镓光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具区域性粗化表面的固态发光设备，包含：基底、形成于基底并依序具有包含第一型半导体层、有源层及第二型半导体层的外延膜、形成于第二型半导体层并含有II族元素及V族元素且具有介于0.7eV～6.0eV之间的能隙的接触膜、与该外延膜夹置有该接触膜并具有与该接触膜连通的通孔的粗化膜、第一接触电极，及填置于通孔的第二接触电极。第一型半导体层具有未被有源层与第二型半导体层覆盖的平坦面。第一接触电极设置于平坦面。粗化膜具有含有III族及V族元素的粗化层。本发明也提供前述固态发光设备的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 区域性 表面 固态 发光 设备 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种具区域性粗化表面的固态发光设备，其特征在于包含：基底；形成于该基底并沿叠置方向具有依序包含第一型半导体层、有源层及第二型半导体层的外延膜，该第一型半导体层具有未被该有源层与该第二型半导体层覆盖的平坦面；形成于该第二型半导体层并含有II族元素及V族元素的接触膜，其具有介于0.7eV～6.0eV之间的能隙；与该外延膜夹置有该接触膜并具有与该接触膜连通的通孔的粗化膜，其具有含有III族及V族元素的粗化层；设置于该平坦面的第一接触电极；及填置于该通孔的第二接触电极。
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