[实用新型]行场扫描电路无效
| 申请号： | 200620016347.6 | 申请日： | 2006-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN200976632Y | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 张颐辉 | 申请（专利权）人： | 深圳创维-RGB电子有限公司 |
| 主分类号： | H04N3/23 | 分类号： | H04N3/23;H04N3/20;H04N3/16 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518000广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种行场扫描电路，包括X射线保护电路、场偏转线圈、场S校正电容及三极管Q1，所述X射线保护电路的一端与FBT连接，另一端与所述三极管Q1的b极连接，所述三极管Q1的e极接地，c极与MCU连接；所述场偏转线圈与所述场S校正电容连接之后与所述三极管Q1的b极连接，所述行场扫描电路还包括二极管D2，所述二极管D2的正极与所述场S校正电容连接，负极与所述三极管Q1的b极连接。本实用新型通过增加与场S校正电容连接的二极管D2，在场S校正电容短路时，场S校正电容正极的直流电压通过二极管D2使Q1饱和导通，Q1集电极电位下降为零，MCU检测到低电平后发出待机命令，进而保护CRT不被破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 扫描 电路 | ||
【主权项】：
1、一种行场扫描电路，包括X射线保护电路、场偏转线圈、场S校正电容及三极管Q1，所述X射线保护电路的一端与FBT连接，另一端与所述三极管Q1的b极连接，所述三极管Q1的e极接地，c极与MCU连接；所述场偏转线圈与所述场S校正电容连接之后与所述三极管Q1的b极连接，其特征在于，所述行场扫描电路还包括二极管D2，所述二极管D2的正极与所述场S校正电容连接，负极与所述三极管Q1的b极连接。
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