[实用新型]一种高出光效率的LED芯片无效
| 申请号： | 200620045648.1 | 申请日： | 2006-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN200976354Y | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 张大伟;孙浩杰 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 宁芝华 |
| 地址： | 200093*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | LED芯片发出的光在出射芯片的时候，有相当一部分被芯片与外界的界面反射，因此导致LED芯片光的损失。本实用新型设计的一种高出光效率的LED芯片，其特点是：它在LED芯片表面加镀单层增透膜，镀膜材料选取TiO2，单层增透膜TiO2的光学厚度是出光波长的四分之一。本实用新型结构使LED芯片的出光效率提高10％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高出光 效率 led 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种高出光效率的LED芯片，其特征在于：它是在LED芯片表面设置单层增透膜。
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