[实用新型]压阻式微波功率传感器无效
申请号: | 200620073646.3 | 申请日: | 2006-06-09 |
公开(公告)号: | CN200962131Y | 公开(公告)日: | 2007-10-17 |
发明(设计)人: | 黄庆安;韩磊;廖小平 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | G01R29/08 | 分类号: | G01R29/08;G01R31/00 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人: | 叶连生 |
地址: | 21009*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 压阻式微波功率传感器是利用终端电阻吸收微波功率发热产生薄膜应力,以压敏电阻的方式测得输入微波功率的结构,该传感器以Si衬底(1)为衬底,Si3N4/SiO2层(9)设在Si衬底的底部,在Si衬底上设有SiO2绝缘层(2),SiO2绝缘层(2)与腐蚀Si衬底上的硅膜(11)构成双层膜(8)结构,在双层膜(8)结构上设有共面波导(3),在共面波导的终端设有匹配电阻(4),在双层膜结构的边缘设有四个沿<110>方向的压敏电阻(6),压敏电阻通过接触金属(10)由金属导线(5)构成惠斯登电桥,惠斯登电桥的四个引线端分别与压焊块(7)相接。该结构由放置在双层膜的边缘的压敏电阻测量膜的应力变化,得到输入微波功率的大小。 | ||
搜索关键词: | 式微 功率 传感器 | ||
【主权项】:
1.一种压阻式微波功率传感器,其特征在于该传感器以Si衬底(1)为衬底,Si3N4/SiO2层(9)设在Si衬底(1)的底部,在Si衬底(1)上设有SiO2绝缘层(2),SiO2绝缘层(2)与腐蚀Si衬底(1)上的硅膜(11)构成双层膜(8)结构,在双层膜(8)结构上设有共面波导(3),在共面波导(3)的终端设有匹配电阻(4),在双层膜(8)结构的边缘设有四个沿<110>方向的压敏电阻(6),压敏电阻(6)通过接触金属(10)由金属导线(5)构成惠斯登电桥,惠斯登电桥的四个引线端分别与压焊块(7)相接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学,未经东南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200620073646.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:杆塔攀登用防坠装置
- 下一篇:油箱下置式通用汽油机